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产品简单介绍
OKAMOTO 冈本SiC碳化硅研磨背面减薄设备GNX200B
GNX200B
半导体材料诸如:碳化硅、硅片、陶瓷、石英等硬质材料的高精度研磨。GNX200B 兼容加工4”、5”、6”、8”晶圆,不需要更换 夹具。
化合物半导体材料(GaN/SiC)半自动单轴研磨机EVG-200
EVG-200
设备功能用途: 在半导体器件封装前,需要对晶圆片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺工程称之为晶片背面减薄工艺。研磨机用于对氮化镓晶圆片衬底进行初次快速减薄,改善芯片散热效果,减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。
日本恩格斯engis化合物半导体材料LD 抛光设备EJ-380INWS单面抛光系统InP GaAs
EJ-380INWS
单面抛光设备:设备的设计理念及特征本设备是搭载φ300mm(12英寸)定盘的高精度、高效率的抛光机。任何人通过配置在设备后部的台式定盘修正机都可以非常容易的实现定盘平面度数μm以内的修正,从而实现高精度抛光加工。 主要规格: 设备型号EJ-380INWS 定盘直径外径φ380mm×内径φ140mm(标准尺寸) 水冷部位密闭型冷却水循环式(内循环分离式) 尺寸705mm×750mm×680mmH*含防尘盖高度 重量100Kg(NET)
日本ENGIS化合物半导体材料研磨机单面减薄机InP GaAs
EJW-400IFN
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN 所属系列:半导体加工设备-减薄抛光设备-研磨机 操作界面人性化,人机交流非常简易 使用大粒径研磨液将Wafer快速减薄 可以**控制Wafer目标厚度,将Wafer减薄至接近目标厚度时,借助厚度控制夹具Wafer将悬空丌再被研磨,可以双头、单片、多片加工,适合研发、量产,可兼容多尺寸Wafer
吉永商事日本6/8/12英寸硅片晶圆边缘抛光机,边抛机BBS E-150200
BBS E-150/200/300
1. 设备名称 6英寸和8英寸硅片边缘抛光机 FINE SURFACE E-150/200 Type-II (DRY-IN / WET-OUT, OF/VN 2 Stations Type) 2. 设备用途 本设备是对6/8/12英寸(150/200/300mm)硅片外周边缘用抛光布加压的方式来进行硅片边缘(缺口VN或者参考面OF)超精密抛光的设备。(备注:V-NOTCH缩写为VN即缺口;FLAT缩写为OF即参考面)
冈本okamoto半自动CMP化学机械抛光机spp600s
SPP-600S
一、设备概要: 1. SPP-600S 是半自动通用抛光型设备,不仅可以处理氧化层和金属膜,而且可以去除晶圆表面损伤层。该机型装备有两个抛光头和一个定盘修正头,可实现高的吞吐量。它具有独特的软件和触摸屏,使用操作方便。
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